TYP | BESCHREIBUNG | WÄHLEN |
|---|---|---|
Kategorie | Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs | |
Frau | Infineon Technologies | |
Serie | HEXFET® | |
Paket | Tape & Reel (TR) | |
Produktstatus | Aktiv | |
FET-Typ | P-Kanal | |
Technologie | MOSFET (Metalloxid) | |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30 V | |
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 11A (von) | |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 4,5 V, 10 V | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13,5 mOhm bei 11 A, 10 V | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2,5 V bei 250 µA | |
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 110 nC bei 10 V | |
Vgs (Max) | ±20V | |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 4030 pF bei 25 V | |
FET-Funktion | - | |
Verlustleistung (max.) | 2,5 W (von) | |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Befestigungsart | Oberflächenmontage | |
Gerätepaket des Lieferanten | 8-SO | |
Paket/Koffer | 8-SOC (0,154", 3,90 mm Breite) | |
Basisproduktnummer | IRF7424 |